褚君浩

      学位:博士

      职称:研究员

      中国科学院院士

      功能材料研究所名誉所长

 

教育及工作经历:

1966年,毕业于上海师范学院(现上海师范大学)物理系;

1981年和1984年先后获中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位;

1986年至1988年,获得德国洪堡基金,赴德国慕尼黑技术大学物理系从事半导体二维电子气研究;

1985年加入九三学社;

19937月起,担任中国科学院红外物理国家重点实验室主任;

2005年当选为中国科学院院士。

 

研究方向:

长期从事红外光电子材料和器件的研究,开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式,被国际上称为CXT公式,广泛引用并认为与实验结果最符合建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型发现HgCdTe的基本光电跃迁特性,确定了材料器件的光电判别依据开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究,研制成功PZTBST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。

系统研究了窄禁带半导体的基础物理,在光学性质、电学性质、能带结构、晶格振动、杂质缺陷、二维电子气研究方面取得系统的研究成果,HgCdTe基础物理部分研究成果具有国际领先水平。提出的禁带宽度公式被国际上称为CXT公式(褚、徐、汤)。

 

荣誉获奖:

1987年,获国家自然科学奖四等奖

1992年,获中国科学院自然科学一等奖

1993年,获国家自然科学奖三等奖

1995年,获中国科学院自然科学二等奖

1999年,获中国科学院自然科学二等奖

2004年,被评为国家973计划先进个人和国家重点实验室计划先进个人金牛奖;

2005年,“碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究”获国家自然科学奖二等奖

2013年,获得上海首届科普教育创新奖的“科普杰出人物奖”;

2014年,被授予第十届“十佳全国优秀科技工作者”称号;12月,入选“第六届全国优秀科技工作者”提名名单,也是上海地区唯一一位提名人选;

20175月,获得全国创新争先奖章; 9月,被评为2017感动上海年度人物


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